IXKC19N60C5

IXKC19N60C5 - IXYS

Numéro d'article
IXKC19N60C5
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXKC19N60C5 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4010 pcs
Prix ​​de référence
USD 6.4718/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IXKC19N60C5

IXKC19N60C5 Description détaillée

Numéro d'article IXKC19N60C5
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 16A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur ISOPLUS220™
Paquet / cas ISOPLUS220™
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IXKC19N60C5