IXKC19N60C5 - IXYS

Numéro d'article	IXKC19N60C5
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 16A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	ISOPLUS220™
Paquet / cas	ISOPLUS220™
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXKC13N80C	IXYS	MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220	Détails
IXKC15N60C5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220	Détails
IXKC19N60C5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220	Détails
IXKC20N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220	Détails
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IXKC25N80C	IXYS	MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220	Détails
IXKC40N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220	Détails