IXFV26N50P

IXFV26N50P - IXYS

Numéro d'article
IXFV26N50P
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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4134 pcs
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IXFV26N50P Description détaillée

Numéro d'article IXFV26N50P
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 13A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PLUS220
Paquet / cas TO-220-3, Short Tab
Poids -
Pays d'origine -

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