IXFV16N80P

IXFV16N80P - IXYS

Numéro d'article
IXFV16N80P
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXFV16N80P Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4613 pcs
Prix ​​de référence
USD 5.818/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IXFV16N80P

IXFV16N80P Description détaillée

Numéro d'article IXFV16N80P
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 71nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PLUS220
Paquet / cas TO-220-3, Short Tab
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IXFV16N80P