IXFR58N20

IXFR58N20 - IXYS

Numéro d'article
IXFR58N20
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2048 pcs
Prix ​​de référence
USD 12.556/pcs
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IXFR58N20 Description détaillée

Numéro d'article IXFR58N20
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 29A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur ISOPLUS247™
Paquet / cas ISOPLUS247™
Poids -
Pays d'origine -

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