IXFR12N100

IXFR12N100 - IXYS

Numéro d'article
IXFR12N100
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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3923 pcs
Prix ​​de référence
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IXFR12N100 Description détaillée

Numéro d'article IXFR12N100
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur ISOPLUS247™
Paquet / cas ISOPLUS247™
Poids -
Pays d'origine -

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