IXFQ26N50

IXFQ26N50 - IXYS

Numéro d'article
IXFQ26N50
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 500V 26A TO-30
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXFQ26N50 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3142 pcs
Prix ​​de référence
USD 8.524/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IXFQ26N50

IXFQ26N50 Description détaillée

Numéro d'article IXFQ26N50
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-3P
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IXFQ26N50