IXFQ21N50Q - IXYS

Numéro d'article	IXFQ21N50Q
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3P
Paquet / cas	TO-3P-3, SC-65-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXFQ10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Détails
IXFQ120N25X3	IXYS	MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P	Détails
IXFQ12N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P	Détails
IXFQ140N20X3	IXYS	200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Détails
IXFQ14N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P	Détails
IXFQ20N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P	Détails
IXFQ21N50Q	IXYS	MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P	Détails
IXFQ22N60P3	IXYS	MOSFET N-CH 600V 22A TO3P	Détails
IXFQ23N60Q	IXYS	MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)	Détails
IXFQ24N50P2	IXYS	500V POLAR2 HIPERFETS	Détails