IXFP22N65X2M - IXYS

Numéro d'article	IXFP22N65X2M
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2190pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	37W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220 Isolated Tab
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXFP102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-220	Détails
IXFP10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	Détails
IXFP10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-220	Détails
IXFP110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A TO-220	Détails
IXFP12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220	Détails
IXFP12N50PM	IXYS	MOSFET N-CH 500V 6A TO-220	Détails
IXFP12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
IXFP130N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220	Détails
IXFP130N10T2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220	Détails
IXFP130N15X3	IXYS	MOSFET N-CH	Détails