IXFP22N65X2

IXFP22N65X2 - IXYS

Numéro d'article
IXFP22N65X2
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
145 pcs
Prix ​​de référence
USD 4.19/pcs
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IXFP22N65X2 Description détaillée

Numéro d'article IXFP22N65X2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2310pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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