IXFN80N50

IXFN80N50 - IXYS

Numéro d'article
IXFN80N50
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXFN80N50 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
576 pcs
Prix ​​de référence
USD 46.81/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IXFN80N50

IXFN80N50 Description détaillée

Numéro d'article IXFN80N50
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 80A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9890pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IXFN80N50