IXFK27N80Q

IXFK27N80Q - IXYS

Numéro d'article
IXFK27N80Q
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 800V 27A TO-264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXFK27N80Q Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1439 pcs
Prix ​​de référence
USD 18.756/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IXFK27N80Q

IXFK27N80Q Description détaillée

Numéro d'article IXFK27N80Q
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-264AA (IXFK)
Paquet / cas TO-264-3, TO-264AA
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IXFK27N80Q