IXFK21N100F - IXYS

Numéro d'article	IXFK21N100F
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	160nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 10.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-264 (IXFK)
Paquet / cas	TO-264-3, TO-264AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXFK100N10	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA	Détails
IXFK100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA	Détails
IXFK100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 100A TO-264	Détails
IXFK102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A TO-264	Détails
IXFK110N07	IXYS	MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA	Détails
IXFK120N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA	Détails
IXFK120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264	Détails
IXFK120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	Détails
IXFK120N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	Détails
IXFK120N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 120A TO-264	Détails