IXFH80N06 - IXYS

Numéro d'article	IXFH80N06
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247AD (IXFH)
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXF1002EC	LEVELONE	IXF1002EC LEVELONE BGA New Original Stocks	Détails
IXF611P1	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP	Détails
IXF611S1	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC	Détails
IXF611S1T/R	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC	Détails
IXFA102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK	Détails
IXFA10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	Détails
IXFA10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-263	Détails
IXFA110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK	Détails
IXFA12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	Détails
IXFA12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Détails