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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › IXDP35N60B
IXDP35N60B

IXDP35N60B - IXYS

Numéro d'article
IXDP35N60B
Fabricant
IXYS
Brève description
IGBT 600V 60A 250W TO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXDP35N60B Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4522 pcs
Prix ​​de référence
USD 5.6826/pcs
Notre prix
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IXDP35N60B Description détaillée

Numéro d'article IXDP35N60B
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 70A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 35A
Puissance - Max 250W
Échange d'énergie 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 120nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
Condition de test 300V, 35A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-3
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Poids -
Pays d'origine -

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