IXDN502SIAT/R Description détaillée
| Numéro d'article |
IXDN502SIAT/R |
| État de la pièce |
Obsolete |
| Configuration pilotée |
Low-Side |
| Type de canal |
Independent |
| Nombre de pilotes |
2 |
| Type de porte |
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tension - Alimentation |
4.5 V ~ 30 V |
| Tension logique - VIL, VIH |
0.8V, 3V |
| Courant - sortie de crête (source, évier) |
2A, 2A |
| Type d'entrée |
Non-Inverting |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) |
- |
| Rise / Fall Time (Typ) |
7.5ns, 6.5ns |
| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Paquet / cas |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur |
8-SOIC |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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