IXDD509SIAT/R Description détaillée
Numéro d'article |
IXDD509SIAT/R |
État de la pièce |
Obsolete |
Configuration pilotée |
Low-Side |
Type de canal |
Single |
Nombre de pilotes |
1 |
Type de porte |
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
Tension - Alimentation |
4.5 V ~ 30 V |
Tension logique - VIL, VIH |
0.8V, 2.4V |
Courant - sortie de crête (source, évier) |
9A, 9A |
Type d'entrée |
Non-Inverting |
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) |
- |
Rise / Fall Time (Typ) |
25ns, 23ns |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Paquet / cas |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package de périphérique fournisseur |
8-SOIC |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
PRODUITS CONNEXES POUR IXDD509SIAT/R