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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IXCP01N90E
IXCP01N90E

IXCP01N90E - IXYS

Numéro d'article
IXCP01N90E
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXCP01N90E Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IXCP01N90E.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4381 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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IXCP01N90E Description détaillée

Numéro d'article IXCP01N90E
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 250mA (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 133pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 Ohm @ 50mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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