GWM160-0055X1-SL - IXYS

Numéro d'article	GWM160-0055X1-SL
État de la pièce	Obsolete
FET Type	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	17-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur	ISOPLUS-DIL™
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GWM160-0055	IXYS	GWM160-0055 IXYS SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
GWM160-0055P3	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL	Détails
GWM160-0055X1-SL	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS	Détails
GWM160-0055X1-SLSAM	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS	Détails
GWM160-0055X1-SMD	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS	Détails
GWM160-0055X1-SMDSAM	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS	Détails