FMM60-02TF - IXYS

Numéro d'article	FMM60-02TF
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	33A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3700pF @ 25V
Puissance - Max	125W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	i4-Pac™-5
Package de périphérique fournisseur	ISOPLUS i4-PAC™
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	FMM60-02TF	IXYS	MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC	Détails
	FMM65-015P	IXYS	MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5	Détails