IS41C16100C-50TLI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Numéro d'article	IS41C16100C-50TLI
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	DRAM
La technologie	DRAM - EDO
Taille mémoire	16Mb (1M x 16)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	25ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	4.5 V ~ 5.5 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package de périphérique fournisseur	54-TSOP II
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IS41C16100-50KL	ISSI	IS41C16100-50KL ISSI SOJ-42 New Original Stocks	Détails
IS41C16100-50T	ISSI	IS41C16100-50T ISSI TSOP New Original Stocks	Détails
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IS41C16100C-50KLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ	Détails
IS41C16100C-50KLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ	Détails
IS41C16100C-50TI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II	Détails
IS41C16100C-50TI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II	Détails
IS41C16100C-50TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16MBIT 50NS 54TSOP	Détails