70V659S12BCI8 - IDT, Integrated Device Technology Inc

Numéro d'article	70V659S12BCI8
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	SRAM
La technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Taille mémoire	4.5Mb (128K x 36)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	12ns
Temps d'accès	12ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	3.15 V ~ 3.45 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	256-LBGA
Package de périphérique fournisseur	256-CABGA (17x17)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
70V657S10BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256CABGA	Détails
70V657S10BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256CABGA	Détails
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70V657S10BFG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208CABGA	Détails
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70V657S10DR	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP	Détails
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70V657S10DRG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP	Détails
70V657S12BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 12NS 256CABGA	Détails
70V657S12BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 12NS 256CABGA	Détails