70T653MS12BCI - IDT, Integrated Device Technology Inc

Numéro d'article	70T653MS12BCI
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	SRAM
La technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Taille mémoire	18Mb (512K x 36)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	12ns
Temps d'accès	12ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	2.4 V ~ 2.6 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	256-LBGA
Package de périphérique fournisseur	256-CABGA (17x17)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
70T651S10BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA	Détails
70T651S10BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA	Détails
70T651S10BCI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA	Détails
70T651S10BCI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA	Détails
70T651S10BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA	Détails
70T651S10BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA	Détails
70T651S10BFG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA	Détails
70T651S10BFGI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA	Détails
70T651S10BFGI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA	Détails
70T651S10BFI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA	Détails