7006L35PF8 - IDT, Integrated Device Technology Inc

Numéro d'article	7006L35PF8
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	SRAM
La technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Taille mémoire	128Kb (16K x 8)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	35ns
Temps d'accès	35ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	4.5 V ~ 5.5 V
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	64-LQFP
Package de périphérique fournisseur	64-TQFP (14x14)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
7006	Keystone Electronics	POST BINDING ECON NYLON-INS RED	Détails
70060A	Microsemi Corporation	RF POWER TRANSISTOR	Détails
70060F	ORIGINAL	70060F ORIGINAL SOP-8 New Original Stocks	Détails
70061A	Microsemi Corporation	RF POWER TRANSISTOR	Détails
70062A	Microsemi Corporation	RF POWER TRANSISTOR	Détails
70068FB	ON	70068FB ON SOP24 New Original Stocks	Détails
7006L15J	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 128KBIT 15NS 68PLCC	Détails
7006L15J8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 128KBIT 15NS 68PLCC	Détails
7006L15JG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC	Détails
7006L15JG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC	Détails