SPW11N60C3

SPW11N60C3 - Infineon Technologies

Numéro d'article
SPW11N60C3
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SPW11N60C3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
705 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.63/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour SPW11N60C3

SPW11N60C3 Description détaillée

Numéro d'article SPW11N60C3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 7A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO247-3
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR SPW11N60C3