SPU04N60S5BKMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	SPU04N60S5BKMA1
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	22.9nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	580pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 2.8A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO251-3
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SPU04N60C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251	Détails
SPU04N60C3BKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251	Détails
SPU04N60S5BKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251	Détails