SGD02N120BUMA1

SGD02N120BUMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
SGD02N120BUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
42010 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.6089/pcs
Notre prix
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SGD02N120BUMA1 Description détaillée

Numéro d'article SGD02N120BUMA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 6.2A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 9.6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A
Puissance - Max 62W
Échange d'énergie 220µJ
Type d'entrée Standard
Charge de porte 11nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/260ns
Condition de test 800V, 2A, 91 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Poids -
Pays d'origine -

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