PTFB191501EV1R250XTMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article: PTFB191501EV1R250XTMA1
Fabricant: Infineon Technologies
Brève description: FET RF LDMOS 150W H36248-2
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne: PTFB191501EV1R250XTMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download: PTFB191501EV1R250XTMA1.pdf
Catégorie: Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 4471 pcs
Prix de référence: USD 0/pcs
Notre prix: Envoyer par email: [email protected]

Numéro d'article	PTFB191501EV1R250XTMA1
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	1.99GHz
Gain	18dB
Tension - Test	30V
Note actuelle	-
Figure de bruit	-
Actuel - Test	1.2A
Puissance - Sortie	150W
Tension - Rated	65V
Paquet / cas	2-Flatpack, Fin Leads
Package de périphérique fournisseur	H-36248-2
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PTFB191501EV1R250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF LDMOS 150W H36248-2	Détails
PTFB191501EV1XWSA1	Infineon Technologies	FET RF LDMOS 150W H36248-2	Détails
PTFB191501FV1R250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF LDMOS 150W H37248-2	Détails
PTFB191501FV1XWSA1	Infineon Technologies	FET RF LDMOS 150W H37248-2	Détails