PTFA261702E V1

PTFA261702E V1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
PTFA261702E V1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
PTFA261702E V1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
PTFA261702E V1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3549 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour PTFA261702E V1

PTFA261702E V1 Description détaillée

Numéro d'article PTFA261702E V1
État de la pièce Obsolete
Type de transistor LDMOS
La fréquence 2.66GHz
Gain 15dB
Tension - Test 28V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 1.8A
Puissance - Sortie 170W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas 2-Flatpack, Fin Leads
Package de périphérique fournisseur H-30275-4
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR PTFA261702E V1