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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Durée de conservation › IRS2607DSTRPBF
IRS2607DSTRPBF

IRS2607DSTRPBF - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRS2607DSTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IRS2607DSTRPBF Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IRS2607DSTRPBF.pdf
Catégorie
Durée de conservation
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4257 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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IRS2607DSTRPBF Description détaillée

Numéro d'article IRS2607DSTRPBF
État de la pièce Obsolete
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 10 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.2V
Courant - sortie de crête (source, évier) 200mA, 350mA
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 600V
Rise / Fall Time (Typ) 150ns, 50ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

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