IRLU024NPBF - Infineon Technologies

Numéro d'article	IRLU024NPBF
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 25V
Vgs (Max)	±16V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	IPAK (TO-251)
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IRLU014	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK	Détails
IRLU014N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK	Détails
IRLU014NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK	Détails
IRLU014PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK	Détails
IRLU024	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Détails
IRLU024N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK	Détails
IRLU024NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK	Détails
IRLU024PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Détails
IRLU024ZPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK	Détails
IRLU110	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK	Détails