IRGP4750D-EPBF

IRGP4750D-EPBF - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRGP4750D-EPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 650V 70A 273W TO247AD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
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1 Day
Code de date
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4096 pcs
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IRGP4750D-EPBF Description détaillée

Numéro d'article IRGP4750D-EPBF
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Puissance - Max 273W
Échange d'énergie 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 105nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 50ns/105ns
Condition de test 400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 150ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247AD
Poids -
Pays d'origine -

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