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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › IRG5U150HF12B
IRG5U150HF12B

IRG5U150HF12B - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRG5U150HF12B
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IRG5U150HF12B Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IRG5U150HF12B.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3563 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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IRG5U150HF12B Description détaillée

Numéro d'article IRG5U150HF12B
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 260A
Puissance - Max 1100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 2mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 18nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas POWIR® 62 Module
Package de périphérique fournisseur POWIR® 62
Poids -
Pays d'origine -

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