IRFU220NPBF - Infineon Technologies

Numéro d'article	IRFU220NPBF
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 2.9A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	IPAK (TO-251)
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IRFU010	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK	Détails
IRFU014	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK	Détails
IRFU014PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK	Détails
IRFU020	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Détails
IRFU020PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Détails
IRFU024	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Détails
IRFU024NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK	Détails
IRFU024NPBF/IRFU024PBF	IR	IRFU024NPBF/IRFU024PBF IR TO-251 New Original Stocks	Détails
IRFU024PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Détails
IRFU1010Z	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK	Détails