IRFSL17N20D

IRFSL17N20D - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRFSL17N20D
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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3879 pcs
Prix ​​de référence
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IRFSL17N20D Description détaillée

Numéro d'article IRFSL17N20D
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 9.8A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-262
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids -
Pays d'origine -

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