IRFB23N20D

IRFB23N20D - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRFB23N20D
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
New
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3642 pcs
Prix ​​de référence
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IRFB23N20D Description détaillée

Numéro d'article IRFB23N20D
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1960pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 14A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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