IRF8513TRPBF

IRF8513TRPBF - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRF8513TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
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IRF8513TRPBF Description détaillée

Numéro d'article IRF8513TRPBF
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 766pF @ 15V
Puissance - Max 1.5W, 2.4W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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