IRF7907PBF

IRF7907PBF - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRF7907PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
New
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3716 pcs
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IRF7907PBF Description détaillée

Numéro d'article IRF7907PBF
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9.1A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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