IRF6811STRPBF

IRF6811STRPBF - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRF6811STRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IRF6811STRPBF Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IRF6811STRPBF.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
25179 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.0725/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IRF6811STRPBF

IRF6811STRPBF Description détaillée

Numéro d'article IRF6811STRPBF
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 74A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1590pF @ 13V
Vgs (Max) ±16V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 19A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DIRECTFET™ SQ
Paquet / cas DirectFET™ Isometric SQ
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IRF6811STRPBF