IRF5852TR

IRF5852TR - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRF5852TR
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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IRF5852TR Description détaillée

Numéro d'article IRF5852TR
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Puissance - Max 960mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur 6-TSOP
Poids -
Pays d'origine -

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