IR25600PBF

IR25600PBF - Infineon Technologies

Numéro d'article
IR25600PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IC DUAL MOSFET IGBT 8-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
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New
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IR25600PBF Description détaillée

Numéro d'article IR25600PBF
État de la pièce Active
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 6 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.7V
Courant - sortie de crête (source, évier) 2.3A, 3.3A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 15ns, 10ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de périphérique fournisseur 8-PDIP
Poids -
Pays d'origine -

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