IR2125PBF - Infineon Technologies

Numéro d'article	IR2125PBF
État de la pièce	Active
Configuration pilotée	High-Side
Type de canal	Single
Nombre de pilotes	1
Type de porte	IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation	0 V ~ 18 V
Tension logique - VIL, VIH	0.8V, 2.2V
Courant - sortie de crête (source, évier)	1.6A, 3.3A
Type d'entrée	Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap)	500V
Rise / Fall Time (Typ)	43ns, 26ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de périphérique fournisseur	8-DIP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IR2003	IRF	IR2003 IRF SOP-8 New Original Stocks	Détails
IR2010PBF	Infineon Technologies	IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP	Détails
IR2010S	IOR	IR2010S IOR SOP New Original Stocks	Détails
IR2010SPBF	Infineon Technologies	IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC	Détails
IR2010STR	IR	IR2010STR IR SOP New Original Stocks	Détails
IR2010STRPBF	Infineon Technologies	IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC	Détails
IR2010STRPBF.	I	IR2010STRPBF. I SOP16 New Original Stocks	Détails
IR2011	Infineon Technologies	HI/LO SIDE DRVR 8-DIP	Détails
IR2011PBF	Infineon Technologies	IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP	Détails
IR2011S	Infineon Technologies	HI/LO SIDE DRVR 8SOIC	Détails