IR2108PBF - Infineon Technologies

Numéro d'article	IR2108PBF
État de la pièce	Active
Configuration pilotée	Half-Bridge
Type de canal	Independent
Nombre de pilotes	2
Type de porte	IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation	10 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH	0.8V, 2.9V
Courant - sortie de crête (source, évier)	200mA, 350mA
Type d'entrée	Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap)	600V
Rise / Fall Time (Typ)	150ns, 50ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de périphérique fournisseur	8-DIP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IR2003	IRF	IR2003 IRF SOP-8 New Original Stocks	Détails
IR2010PBF	Infineon Technologies	IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP	Détails
IR2010S	IOR	IR2010S IOR SOP New Original Stocks	Détails
IR2010SPBF	Infineon Technologies	IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC	Détails
IR2010STR	IR	IR2010STR IR SOP New Original Stocks	Détails
IR2010STRPBF	Infineon Technologies	IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC	Détails
IR2010STRPBF.	I	IR2010STRPBF. I SOP16 New Original Stocks	Détails
IR2011	Infineon Technologies	HI/LO SIDE DRVR 8-DIP	Détails
IR2011PBF	Infineon Technologies	IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP	Détails
IR2011S	Infineon Technologies	HI/LO SIDE DRVR 8SOIC	Détails