| Numéro d'article | IR2101STR |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Configuration pilotée | Half-Bridge |
| Type de canal | Independent |
| Nombre de pilotes | 2 |
| Type de porte | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Tension - Alimentation | 10 V ~ 20 V |
| Tension logique - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Courant - sortie de crête (source, évier) | 210mA, 360mA |
| Type d'entrée | Non-Inverting |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | 600V |
| Rise / Fall Time (Typ) | 100ns, 50ns |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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IR2011S | Infineon Technologies | HI/LO SIDE DRVR 8SOIC | Détails |
