| Numéro d'article | IPW50R190CEFKSA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6.2A, 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1137pF @ 100V |
| FET Caractéristique | Super Junction |
| Dissipation de puissance (Max) | 127W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TO247-3 |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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IPW50R140CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-247 | Détails |
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