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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IPU60R1K0CEBKMA1
IPU60R1K0CEBKMA1

IPU60R1K0CEBKMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPU60R1K0CEBKMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPU60R1K0CEBKMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IPU60R1K0CEBKMA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3735 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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IPU60R1K0CEBKMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPU60R1K0CEBKMA1
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-251
Paquet / cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids -
Pays d'origine -

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