IPP60R600P6XKSA1

IPP60R600P6XKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPP60R600P6XKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
IPP60R600P6XKSA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
37832 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.7181/pcs
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IPP60R600P6XKSA1 Description détaillée

Numéro d'article IPP60R600P6XKSA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 557pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO-220-3
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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