IPG20N06S3L-23

IPG20N06S3L-23 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPG20N06S3L-23
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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IPG20N06S3L-23.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
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IPG20N06S3L-23 Description détaillée

Numéro d'article IPG20N06S3L-23
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V
Puissance - Max 45W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8-4
Poids -
Pays d'origine -

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