| Numéro d'article | IPD30N03S4L09ATMA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 13µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1520pF @ 15V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 42W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TO252-3 |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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