IPC173N10N3X1SA1

IPC173N10N3X1SA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPC173N10N3X1SA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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IPC173N10N3X1SA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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18682 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.3728/pcs
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IPC173N10N3X1SA1 Description détaillée

Numéro d'article IPC173N10N3X1SA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1A (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur Sawn on foil
Paquet / cas Die
Poids -
Pays d'origine -

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