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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IPB65R110CFDAATMA1
IPB65R110CFDAATMA1

IPB65R110CFDAATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPB65R110CFDAATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPB65R110CFDAATMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IPB65R110CFDAATMA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6990 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.7438/pcs
Notre prix
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IPB65R110CFDAATMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPB65R110CFDAATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 31.2A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3240pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 277.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 12.7A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO263
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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